Datasheet NGTB25N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3 — Даташит

Купить NGTB25N120LWG на РадиоЛоцман.Цены — от 88 до 388 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
ChipWorker Весь мир	NGTB25N120LWG ON Semiconductor	88 ₽	Купить
Maybo Весь мир	NGTB25N120LWG ON Semiconductor	388 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	NGTB25N120LWG	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NGTB25N120LWG ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB25N120LWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications.

Offering both low on-state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• DC Collector Current: 50 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-247
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 192 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)