Datasheet NGTG15N60S1EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3 — Даташит

Купить NGTG15N60S1EG на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 483 ₽ 15 предложений от 14 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - NGTG15N60S1EG - Transistor IGBT Singolo, 30 A, 1.75 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 Pin
Софт-Логистик Россия	NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	145 ₽	Купить
727GS Весь мир	NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTG15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Non-Punch Through (NPT) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications.

Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for motor drive control and other hard switching applications.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• DC Collector Current: 30 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 117 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)