Datasheet BSC100N06LS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 50 А, 8TDSON — Даташит
Наименование модели: BSC100N06LS3 G
Купить BSC100N06LS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 93 до 129 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8Pin TDSON EP | |||
| BSC100N06LS3G Infineon | 93 ₽ | ||
| BSC100N06LS3G Infineon | 128 ₽ | ||
| BSC100N06LS3G Infineon | по запросу | ||
| BSC100N06LS3G Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 50 А, 8TDSON
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Jf]R
% ! %
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY R #562 =@C 7 9:89 76BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 4
C C H:E J? 64
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.0078 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- RoHS: да
