Datasheet BSC110N06NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 50 А, 8TDSON — Даташит
Наименование модели: BSC110N06NS3 G
Купить BSC110N06NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 78 до 2 639 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8Pin TDSON T/R | |||
| BSC110N06NS3G Infineon | 78 ₽ | ||
| BSC110N06NS3G Infineon | 100 ₽ | ||
| BSC110N06NS3G Infineon | от 136 ₽ | ||
| BSC110N06NS3G Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 50 А, 8TDSON
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IeQ
$ $
"%&$!"# " 9@ /; ; % +8<3 9; <=
6KGYZWKX Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C
B
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.009 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- RoHS: да
