Datasheet BSC520N15NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 150 В, 21 А, 8TDSON — Даташит
Наименование модели: BSC520N15NS3 G
![]() 16 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5 | |||
BSC520N15NS3G Infineon | 42 ₽ | ||
BSC520N15NS3G Infineon | от 590 ₽ | ||
BSC520N15NS3G Infineon | по запросу | ||
BSC520N15NS3G Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 150 В, 21 А, 8TDSON
Краткое содержание документа:
IdQ
%
! ! %
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
7LHZ[XLY P ( @C I54 6 A43 43 3 ? >E5A 9 > 9 =9 ? B? P ' 3 81>>5< >? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A G' 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P.
5A < F ? >A 9C 5 ' 9H"[Z# H? 5BB1>3 P
S ? @5A 9 C 1C 5=@5A D 5 >7 1C A P ) 2 655 < A 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C 1C >7 9 P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ?
)#
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 21 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 0.042 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 57 Вт
- RoHS: да