Datasheet BSL207SP L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 20 В, 6 А, 6TSOP — Даташит
Наименование модели: BSL207SP L6327
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-6 | |||
BSL207SPL6327HTSA1 Infineon | 14 ₽ | ||
BSL207SPL6327 Infineon | 36 ₽ | ||
BSL207SPL6327HTSA1 Infineon | по запросу | ||
BSL207SPL6327 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 20 В, 6 А, 6TSOP
Краткое содержание документа:
Rev.
2.04
BSL207SP
OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Super Logic Level (2.5 V rated) · 150°C operating temperature · Avalanche rated · dv/dt rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on) ID -20 41 -6
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -6 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.029 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 6
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- RoHS: да