Datasheet BSL211SP L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 20 В, 4.7 А, 6TSOP — Даташит

Infineon BSL211SP L6327

Наименование модели: BSL211SP L6327

Купить BSL211SP L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 404 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-6
AiPCBA Весь мир	BSL211SPL6327 Infineon	12 ₽
ChipWorker Весь мир	BSL211SPL6327 Infineon	12 ₽
ЧипСити Россия	BSL211SPL6327HTSA1 Infineon	67 ₽
МосЧип Россия	IF.BSL211SPL6327	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 20 В, 4.7 А, 6TSOP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev 1.3
BSL211SP
OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Super Logic Level (2.5 V rated) · 150°C operating temperature · Avalanche rated · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID -20 67 -4.7

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -4.7 А
Drain Source Voltage Vds: -20 В
On Resistance Rds(on): 0.054 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 6
Корпус транзистора: TSOP
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 2 Вт
RoHS: да