Datasheet BSL214N L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, DUA, L 20 В, 1.5 А, 6TSOP — Даташит
Наименование модели: BSL214N L6327
![]() 9 предложений от 8 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSOP-6 | |||
BSL214NL6327HTSA1 Infineon | 32 ₽ | ||
BSL214NL6327HTSA1 | 986 ₽ | ||
BSL214NL6327 MOS Infineon | по запросу | ||
BSL214NL6327 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, DUA, L 20 В, 1.5 А, 6TSOP
Краткое содержание документа:
3C=)(+?
@YR>@Cb
' : .99' 6 4;.9(> .;?6 <> ?@
7NJ]ZN[ T H ) 7<5BB9@ 5@ T B<5B79A 9BGA C89 T .
H 9E' C;= @9I
0 E 98 D 7 9@ 5G T I 5@5B7<9 E 98 5G T , H := 577CE B; G 5@= 98 8= C ,
% > A0@' A: : .> <1 E ) ;J ' ;J"_^#$]Qg ) >J
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.108 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 6
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- RoHS: да