Datasheet BSL215C L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор N/P-CH 20 В, 1.5 А, 6TSOP — Даташит
Наименование модели: BSL215C L6327
![]() 12 предложений от 9 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSOP-6 | |||
BSL215CL6327HTSA1 Infineon | от 3.00 ₽ | ||
BSL215CL6327XT Infineon | 74 ₽ | ||
BSL215CL6327XT | по запросу | ||
BSL215CL6327HTSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор N/P-CH 20 В, 1.5 А, 6TSOP
Краткое содержание документа:
4D>*)-5
% >A# % ( G % >A# % ( G & ( ; /:: ( 7 7 7 58OK]^[O # E FB ;DI N, * 9>7DD;B C ;C 7G #! D>7D9;C ;DI E ; C : / JF;G( E 9 B =? ;K;B 1 G ;: 7I # K7B 7D9>; G ;: 7I (< # - J7B< 799E : ? I ! -
?;: ? G D= E #
B
<;; .
E / 9E FB7DI ;7: G $ C ? H?&LKGH/
/ . -
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.108 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 6
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- RoHS: да