Datasheet BSO615N G - Infineon Даташит Полевой транзистор DUA, L N-CH 60 В, 2.6 А, 8SOIC — Даташит

Купить BSO615N G на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 142 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, N-channel Mosfet 20v300v Power Transistor Power Mosfet
AiPCBA Весь мир	BSO615NG(UMW) Youtai	31 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSO615NG Infineon	38 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BSO615NG Youtai	от 56 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSO615NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор DUA, L N-CH 60 В, 2.6 А, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
G
° Pb-free lead plating; RoHS compliant
° Qualified according to AEC Q101
Marking
615N

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 2.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 0.12 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: SOIC
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• RoHS: да