Datasheet BSP123 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 370 мА, SOT223 — Даташит

Infineon BSP123 L6327

Наименование модели: BSP123 L6327

Купить BSP123 L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 38 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
T-electron Россия и страны СНГ	BSP123L6327 Infineon	14 ₽
Akcel Весь мир	BSP123L6327HTSA1 Infineon	от 16 ₽
Utmel Весь мир	BSP123L6327HTSA1 Infineon	от 17 ₽
ЧипСити Россия	BSP123L6327 Infineon	36 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 370 мА, SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev.

1.5
BSP123
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 100 6 0.37

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 370 мА
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 4
Корпус транзистора: SOT-223
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Рассеиваемая мощность: 1.79 Вт
RoHS: да