Datasheet BSP125 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223 — Даташит

Купить BSP125 L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.00 до 238 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
727GS Весь мир	BSP125L6327 Rochester Electronics	4.00 ₽	Купить
МосЧип Россия	BSP125L6327 Siemens	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	BSP125L6327HTSA1 Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSP125L6327HTSA1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev.

2.1
BSP125
SIPMOS Power-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 600 45 0.12

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 мА
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 25 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 4
• Корпус транзистора: SOT-223
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• RoHS: да