Datasheet BSP125 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP125 L6327
Купить BSP125 L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 92 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | |||
BSP125L6327 Infineon | от 18 ₽ | ||
BSP125L6327 Infineon | от 19 ₽ | ||
BSP125L6327HTSA1 Infineon | 82 ₽ | ||
BSP125L6327 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223
Краткое содержание документа:
Rev.
2.1
BSP125
SIPMOS Power-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 600 45 0.12
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 мА
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 25 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: да