Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet BSP125 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP125 L6327

Наименование модели: BSP125 L6327

18 предложений от 12 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
Akcel
Весь мир
BSP125L6327
Infineon
от 18 ₽
Utmel
Весь мир
BSP125L6327
Infineon
от 19 ₽
ЧипСити
Россия
BSP125L6327HTSA1
Infineon
82 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
BSP125L6327
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev.

2.1
BSP125
SIPMOS Power-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 600 45 0.12

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 25 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSP125 L6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 600 V, 120 mA, SOT-223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России