Datasheet BSP129 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 240 В, 350 мА, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP129 L6327
![]() 27 предложений от 18 поставщиков N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21 | |||
BSP129L6327 Infineon | 18 ₽ | ||
BSP129L6327 | от 24 ₽ | ||
BSP129L6327 Infineon | от 48 ₽ | ||
BSP129L6327HTSA1 Infineon | 88 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 240 В, 350 мА, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP129
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max IDSS,min 240 6 0.05 V W A
PG-SOT223
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 350 мА
- Drain Source Voltage Vds: 240 В
- On Resistance Rds(on): 4.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: да