Поставки продукции Megawin по официальным каналам - микроконтроллеры, мосты USB-UART

Datasheet BSP129 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 240 В, 350 мА, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP129 L6327

Наименование модели: BSP129 L6327

16 предложений от 16 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Зенер
Россия и страны ТС
BSP129L6327HTSA1
Infineon
87 ₽
Maybo
Весь мир
BSP129L6327HTSA1
Infineon
278 ₽
727GS
Весь мир
BSP129L6327
Rochester Electronics
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
BSP129L6327
по запросу
AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 240 В, 350 мА, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP129
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max IDSS,min 240 6 0.05 V W A
PG-SOT223

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 350 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 240 В
  • On Resistance Rds(on): 4.2 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSP129 L6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 240 V, 350 mA, SOT-223

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка