Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet BSP135 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP135 L6327

Наименование модели: BSP135 L6327

15 предложений от 14 поставщиков
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
ChipWorker
Весь мир
BSP135L6327
Infineon
10 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
BSP135L6327
Infineon
22 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
BSP135L6327HTSA1
Infineon
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
BSP135L6327
Infineon
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP135
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max IDSS,min 600 60 0.02 V W A
PG-SOT223

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 25 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSP135 L6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 600 V, 120 mA, SOT-223

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка