Datasheet BSP135 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP135 L6327
![]() 15 предложений от 14 поставщиков Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | |||
BSP135L6327 Infineon | 13 ₽ | ||
BSP135L6327HTSA1 Infineon | по запросу | ||
BSP135L6327 | по запросу | ||
BSP135L6327HTSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP135
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max IDSS,min 600 60 0.02 V W A
PG-SOT223
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 мА
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 25 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: да