Datasheet BSP135 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP135 L6327

Наименование модели: BSP135 L6327

Купить BSP135 L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 255 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
AiPCBA Весь мир	BSP135L6327 Infineon	15 ₽
ChipWorker Весь мир	BSP135L6327 Infineon	15 ₽
Океан Электроники Россия	BSP135L6327 Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	BSP135L6327 Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 120 мА, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP135
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max IDSS,min 600 60 0.02 V W A
PG-SOT223

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 120 мА
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On Resistance Rds(on): 25 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 4
Корпус транзистора: SOT-223
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
RoHS: да