Datasheet BSP149 L6906 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 660 мА, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP149 L6906
![]() 11 предложений от 11 поставщиков N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21 | |||
BSP149L6906 Infineon | 39 ₽ | ||
BSP149L6906HTSA1 Infineon | 149 ₽ | ||
BSP149L6906HTSA1 Infineon | 168 ₽ | ||
BSP149L6906HTSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 660 мА, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP149
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max IDSS,min 200 3.5 0.14 V W A
PG-SOT223
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 660 мА
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: да