Datasheet BSP170P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 1.9 А, SOT-223 — Даташит

Купить BSP170P L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 53 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
Lixinc Electronics Весь мир	BSP170PL6327HTSA1 Infineon	19 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSP170PL6327 Infineon	52 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSP170PL6327HTSA1 Infineon	53 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSP170PL6327HTSA1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 1.9 А, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP170P
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -1.9 V A
PG-SOT223

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -1.9 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 0.239 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 4
• Корпус транзистора: SOT-223
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• RoHS: да