Datasheet BSP299 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 500 В, 400 мА, SOT-223 — Даташит

Купить BSP299 L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 3 667 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
ЧипСити Россия	BSP299L6327 Infineon	30 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSP299L6327 Rochester Electronics	36 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BSP299L6327HUSA1 Infineon	111 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BSP299L6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 500 В, 400 мА, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP299
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
· N channel · Enhancement mode · Avalanche rated · VGS(th)= 2.1 ...

4.0 V · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101 Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Pin 4 D
Type
VDS 500 V

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 400 мА
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 3.1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• Количество выводов: 4
• Корпус транзистора: SOT-223
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• RoHS: да