Datasheet BSP316P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 680 мА, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP316P L6327
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 | |||
BSP316PL6327 Infineon | 15 ₽ | ||
BSP316PL6327 Rochester Electronics | 17 ₽ | ||
BSP316PL6327 NXP | по запросу | ||
BSP316PL6327HTSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 680 мА, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP316P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
· Qualified according to AEC Q101
Drain pin 2/4 Gate pin1 Source pin 3
Product Summary VDS R DS(on) ID -100 1.8 -0.68 V A
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -680 мА
- Drain Source Voltage Vds: -100 В
- On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: да