Datasheet BSP316P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 680 мА, SOT-223 — Даташит

Купить BSP316P L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 16 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
727GS Весь мир	BSP316PL6327 Rochester Electronics	16 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	BSP316PL6327 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	BSP316PL6327HTSA1 Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSP316PL6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 680 мА, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP316P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
· Qualified according to AEC Q101
Drain pin 2/4 Gate pin1 Source pin 3
Product Summary VDS R DS(on) ID -100 1.8 -0.68 V A

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -680 мА
• Drain Source Voltage Vds: -100 В
• On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 4
• Корпус транзистора: SOT-223
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• RoHS: да