Datasheet BSP316P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 680 мА, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP316P L6327

Наименование модели: BSP316P L6327

Купить BSP316P L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 1 825 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
AiPCBA Весь мир	BSP316PL6327 Infineon	17 ₽
ChipWorker Весь мир	BSP316PL6327 Infineon	17 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSP316PL6327	1 825 ₽
Akcel Весь мир	BSP316PL6327 Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 680 мА, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP316P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
· Qualified according to AEC Q101
Drain pin 2/4 Gate pin1 Source pin 3
Product Summary VDS R DS(on) ID -100 1.8 -0.68 V A

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -680 мА
Drain Source Voltage Vds: -100 В
On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 4
Корпус транзистора: SOT-223
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
RoHS: да