Datasheet BSP317P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 430 мА, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP317P L6327

Наименование модели: BSP317P L6327

Купить BSP317P L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 186 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
Стандарт СИЗ Россия	BSP317PL6327 Infineon	17 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSP317PL6327HTSA1 Infineon	18 ₽
ChipWorker Весь мир	BSP317PL6327HTSA1 Infineon	24 ₽
AiPCBA Весь мир	BSP317PL6327HTSA1 Infineon	24 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 430 мА, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP317P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Drain pin 2/4
Product Summary VDS R DS(on) ID -250 4 -0.43
PG-SOT223

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -430 мА
Drain Source Voltage Vds: -250 В
On Resistance Rds(on): 3 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 4
Корпус транзистора: SOT-223
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
RoHS: да