Datasheet BSP317P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 430 мА, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP317P L6327
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, MOSFET, P, LOGIC, SOT-223; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -60V; Current, Id Cont:... | |||
BSP317PL6327HTSA1 Infineon | 20 ₽ | ||
BSP317PL6327HTSA1 Infineon | 26 ₽ | ||
BSP317P-L6327 Infineon | 174 ₽ | ||
BSP317PL6327HTSA1 Infineon | 211 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 430 мА, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP317P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Drain pin 2/4
Product Summary VDS R DS(on) ID -250 4 -0.43
PG-SOT223
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -430 мА
- Drain Source Voltage Vds: -250 В
- On Resistance Rds(on): 3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: да