Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BSP321P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 980 мА, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP321P L6327

Наименование модели: BSP321P L6327

6 предложений от 6 поставщиков
Полевые транзисторы - Одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
BSP321PL6327
Infineon
6.13 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSP321PL6327
Infineon
16 ₽
Элитан
Россия
BSP321PL6327
Infineon
54 ₽
Maybo
Весь мир
BSP321PL6327HTSA1
Infineon
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 980 мА, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP321P
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · Normal level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 900 -0.98 V m A
PG-SOT-223

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -980 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.689 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSP321P L6327 - Infineon MOSFET, P-CH, 100 V, 980 mA, SOT-223

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка