Datasheet BSP613P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 2.9 А, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP613P L6327
8 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | |||
| BSP613PL6327HUSA1 Infineon | 13 ₽ | ||
| BSP613PL6327HUSA1 Infineon | 13 ₽ | ||
| BSP613PL6327 Infineon | по запросу | ||
| BSP613PL6327 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 2.9 А, SOT-223
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BSP613P SIPMOS ® Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv/dt rated · Ideal for fast switching buck converter
· Qualified according to AEC Q101
Gate pin1 Source pin 3 Drain pin 2,4
Product Summary VDS RDS(on) ID -60 0.13 -2.9
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -2.9 А
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 0.11 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: да
