Datasheet BSP92P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 260 мА, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP92P L6327
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 250V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 | |||
BSP92PL6327HTSA1 Infineon | 38 ₽ | ||
BSP92PL6327HTSA1 Infineon | 84 ₽ | ||
BSP92PL6327 Infineon | по запросу | ||
BSP92PL6327 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 260 мА, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP92P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID -250 12 -0.26
PG-SOT223
Drain pin 2/4 Gate pin1 Source pin 3
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -260 мА
- Drain Source Voltage Vds: -250 В
- On Resistance Rds(on): 7.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: да