Datasheet BSR202N L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 3.8 А, SC-59 — Даташит
Наименование модели: BSR202N L6327
![]() 32 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59 / N-Channel 20 V 3.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3 | |||
BSR202NL6327HTSA1 Infineon | от 3.73 ₽ | ||
BSR202NL6327HTSA1 Infineon | от 15 ₽ | ||
BSR202NL6327 Infineon | по запросу | ||
BSR202NL6327 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 3.8 А, SC-59
Краткое содержание документа:
BSR202N
OptiMOS®2 Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Enhancement mode · Super Logic level (2.5V rated) · Avalanche rated · Footprint compatible to SOT23 · dv /dt rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max VGS=4.5 V VGS=2.5 V ID 20 21 33 3.8 A V m
PG-SC-59 3 1
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 3.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.017 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SC-59
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- RoHS: да