Datasheet BSR316P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 620 мА, SC-59 — Даташит
Наименование модели: BSR316P L6327
![]() 13 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-59, 3Pin | |||
BSR316PL6327 Infineon | 15 ₽ | ||
BSR316PL6327HTSA1 Infineon | 1 050 ₽ | ||
BSR316PL6327HTSA1 Infineon | по запросу | ||
BSR316PL6327HTSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 620 мА, SC-59
Краткое содержание документа:
BSR316P
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode / Logic level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Footprint compatible to SOT23 · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max ID -100 1.8 -0.36 V W A
PG-SC59
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -360 мА
- Drain Source Voltage Vds: -100 В
- On Resistance Rds(on): 1.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SC-59
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- RoHS: да