Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet BSR316P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 620 мА, SC-59 — Даташит

Infineon BSR316P L6327

Наименование модели: BSR316P L6327

9 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-59, 3Pin
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BSR316PL6327HTSA1
Infineon
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
BSR316PL6327HTSA1
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
BSR316PL6327HTSA1
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
BSR316PL6327HTSA1
Infineon
по запросу
AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 620 мА, SC-59

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSR316P
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode / Logic level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Footprint compatible to SOT23 · Qualified according to AEC Q101
Product Summary VDS RDS(on),max ID -100 1.8 -0.36 V W A
PG-SC59

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -360 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -100 В
  • On Resistance Rds(on): 1.3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SC-59
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSR316P L6327 - Infineon MOSFET, P-CH, 60 V, 620 mA, SC-59

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка