Datasheet BSS119 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 170 мА, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSS119 L6327
7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | |||
BSS119L6327HTSA1 Infineon | по запросу | ||
BSS119L6327 Infineon | по запросу | ||
BSS119L6327HTSA1 Infineon | по запросу | ||
BSS119L6327 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 170 мА, SOT-23
Краткое содержание документа:
BSS119N
OptiMOSTM Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Enhancement mode · Logic level (4.5V rated) · Avalanche rated · Qualified according to AEC Q101 · 100% lead-free; RoHS compliant; Halogen free
Product Summary VDS RDS(on),max VGS=10 V VGS=4.5 V ID 100 6 10 0.19 A V W
PG-SOT23
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 170 мА
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 3.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-23
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 360 мВт
- RoHS: да