Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet BSS123 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 170 мА, SOT-23 — Даташит

Infineon BSS123 L6327

Наименование модели: BSS123 L6327

14 предложений от 13 поставщиков
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Элитан
Россия
BSS123L6327
Infineon
15 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
BSS123L6327
Infineon
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
BSS123-L6327
Infineon
по запросу
TradeElectronics
Россия
BSS123L6327
Fairchild
по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 170 мА, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev.

1.41
BSS123
SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 170 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 360 мВт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSS123 L6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 100 V, 170 mA, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка