Datasheet BSS126 H6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 21 мА, SOT23 — Даташит
Наименование модели: BSS126 H6327
![]() 58 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 21 мА, 280 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
BSS126H6327XTSA2 Infineon | от 5.04 ₽ | ||
BSS126H6327 Infineon | от 16 ₽ | ||
BSS126H6327XTSA2 Infineon | 19 ₽ | ||
BSS126H6327 Infineon | от 15 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 21 мА, SOT23
Краткое содержание документа:
BSS126
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with VGS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101 · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max IDSS,min 600 700 V
0.007 A PG-SOT-23
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 21 мА
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 280 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-23
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- RoHS: да