Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BSS126 H6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 21 мА, SOT23 — Даташит

Infineon BSS126 H6327

Наименование модели: BSS126 H6327

49 предложений от 21 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 21 мА, 280 Ом, SOT-23, Surface Mount
AllElco Electronics
Весь мир
BSS126H6327XTSA2
Infineon
от 4.85 ₽
Промэлектроника
Россия и страны СНГ
BSS126H6327
Infineon
19 ₽
Maybo
Весь мир
BSS126H6327XTSA2
Infineon
36 ₽
Эиком
Россия
BSS126H6327XTSA2
Infineon
от 44 ₽
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 21 мА, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS126
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with VGS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101 · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max IDSS,min 600 700 V
0.007 A PG-SOT-23

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 21 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 280 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSS126 H6327 - Infineon MOSFET, N-CH, 600 V, 21 mA, SOT23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка