Datasheet BSS192P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 190 мА, SOT-89 — Даташит
Наименование модели: BSS192P L6327
![]() 15 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | |||
BSS192PL6327 Infineon | от 128 ₽ | ||
BSS192PL6327 Infineon | по запросу | ||
BSS192PL6327HTSA1 Infineon | по запросу | ||
BSS192PL6327HTSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 190 мА, SOT-89
Краткое содержание документа:
BSS192P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID -250 12 -0.19
PG-SOT89
Drain pin 2 Gate pin1 Source pin 3
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -190 мА
- Drain Source Voltage Vds: -250 В
- On Resistance Rds(on): 7.7 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-89
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- RoHS: да