Datasheet BSS225 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 90 мА, SOT-89 — Даташит

Купить BSS225 L6327 на РадиоЛоцман.Цены Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
AllElco Electronics Весь мир	BSS225L6327HTSA1 Infineon	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	BSS225L6327HTSA1 Infineon	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSS225L6327 Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSS225L6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 90 мА, SOT-89

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
BSS225
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Feature · n-channel · enhancement mode · Logic level · dv /dt rated · Qualified according to AEC Q101
Product Summary V DS

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 90 мА
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 28 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: SOT-89
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• RoHS: да