Datasheet BSS225 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 90 мА, SOT-89 — Даташит

Infineon BSS225 L6327

Наименование модели: BSS225 L6327

Купить BSS225 L6327 на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
Элитан Россия	BSS225L6327 Infineon	62 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSS225L6327 Infineon	по запросу
Utmel Весь мир	BSS225L6327 Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	BSS225L6327 Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 90 мА, SOT-89

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
BSS225
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Feature · n-channel · enhancement mode · Logic level · dv /dt rated · Qualified according to AEC Q101
Product Summary V DS

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 90 мА
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On Resistance Rds(on): 28 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: SOT-89
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 1 Вт
RoHS: да