Datasheet BSZ076N06NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON — Даташит

Купить BSZ076N06NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 35 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8Pin TSDSON EP
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	BSZ076N06NS3G Infineon	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	BSZ076N06NS3G Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSZ076N06NS3G Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	BSZ076N06NS3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
BSZ076N06NS3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · Ideal for high frequency switching and sync.

rec. · Optimized technology for DC/DC converters · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · N-channel, normal level · 100% avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type BSZ076N06NS3 G
Product Summary V DS R DS(on),max ID 60 7.6 20 V m A

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 0.006 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 69 Вт
• RoHS: да