Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BSZ100N06LS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON — Даташит

Infineon BSZ100N06LS3 G

Наименование модели: BSZ100N06LS3 G

14 предложений от 9 поставщиков
Полевые транзисторы - Одиночные
ChipWorker
Весь мир
BSZ100N06LS3G
Infineon
41 ₽
Элитан
Россия
BSZ100N06LS3G
50 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSZ100N06LS3G
Infineon
57 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
BSZ100N06LS3G
Infineon
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% * ! %
"%&$!"# # ;B 1= = > > ;= & -: 5 ?
6MI[YMZ R #562 =@C 7 9:89 76BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 4
C C H:E J? 64
R ) AE :K65 E :> 649? @= 7 4@? G E D @8J @C 6C 6C R I46= E E 492 C I' 9I"[# AC = 82 6 6? 86 @5F4E ) ' R( 492 ? ? 6== @8:4 = 6= 6G R 2 G =? 496 E E 2 2 6D 65 R* 3 766 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E C 2 :? :2 R+ F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.008 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 50 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSZ100N06LS3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 60 V, 20 A, 8TSDSON

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка