Datasheet BSZ110N06NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON — Даташит

Купить BSZ110N06NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 3 235 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, OptiMOSTM3 Power-Transistor
Элитан Россия	BSZ110N06NS3G Infineon	55 ₽	Купить
Контест Россия	BSZ110N06NS3G Infineon	88 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSZ110N06NS3G Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSZ110N06NS3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IeQ
$ ) 
$
"%&$!"# " : A 0< < 4 > < % ,9= = :
6LHZ[XLY Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 0.009 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 50 Вт
• RoHS: да