HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BSZ110N06NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON — Даташит

Infineon BSZ110N06NS3 G

Наименование модели: BSZ110N06NS3 G

9 предложений от 9 поставщиков
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Элитан
Россия
BSZ110N06NS3G
Infineon
65 ₽
Контест
Россия
BSZ110N06NS3G
Infineon
91 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSZ110N06NS3G
Infineon
133 ₽
Acme Chip
Весь мир
BSZ110N06NS3G
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IeQ
$ )
$
"%&$!"# " : A 0< < 4 > < % ,9= = :
6LHZ[XLY Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.009 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 50 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSZ110N06NS3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 60 V, 20 A, 8TSDSON

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России