Datasheet BSZ160N10NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 40 А, 8TSDSON — Даташит

Купить BSZ160N10NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 45 до 6 593 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.016Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Элитан Россия	BSZ160N10NS3G Infineon	118 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BSZ160N10NS3G Infineon	от 291 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BSZ160N10NS3G Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	BSZ160N10NS3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 40 А, 8TSDSON

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% * !  ! %
"&'%!"#
7MI[YMZ
$!
# ;B 1 = = > > ;= & -: 5 ?

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.014 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 63 Вт
• RoHS: да