Datasheet BSZ520N15NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 150 В, 21 А, 8TDSON — Даташит

Infineon BSZ520N15NS3 G

Наименование модели: BSZ520N15NS3 G

Купить BSZ520N15NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 52 до 4 102 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков OptiMOSTM3 Power-Transistor
AiPCBA Весь мир	BSZ520N15NS3G Infineon	52 ₽
ChipWorker Весь мир	BSZ520N15NS3G Infineon	53 ₽
ЧипСити Россия	BSZ520N15NS3G Infineon	209 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSZ520N15NS3G	4 102 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 150 В, 21 А, 8TDSON

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Je]R
BSZ520N15NS3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q ) AD :J65 7 5454 4@? F6B :@? :> @B C Q ( 492 ? ? 6=? @B 2 =6F6= > = Q H = D82 D 492 B HR 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q& @G @? B :C2 ? 46 R 9I"[# 6C D
TM

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 21 А
Drain Source Voltage Vds: 150 В
On Resistance Rds(on): 0.042 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 8
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 57 Вт
RoHS: да