Datasheet IPA60R520E6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 8.1 А, TO220 — Даташит
Наименование модели: IPA60R520E6
![]() 19 предложений от 15 поставщиков Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack | |||
IPA60R520E6 Infineon | 60 ₽ | ||
IPA60R520E6 Infineon | от 452 ₽ | ||
IPA60R520E6XKSA1 Infineon | по запросу | ||
IPA60R520E6 - Infineon Technologies Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 8.1 А, TO220
Краткое содержание документа:
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS E6
600V CoolMOSTM E6 Power Transistor IPx60R520E6
Data Sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 8.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.47 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 29 Вт
- RoHS: да