Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet IPA60R520E6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 8.1 А, TO220 — Даташит

Infineon IPA60R520E6

Наименование модели: IPA60R520E6

19 предложений от 14 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
ЧипСити
Россия
IPA60R520E6
Infineon
65 ₽
Maybo
Весь мир
IPA60R520E6XKSA1
Infineon
145 ₽
Microfind
Россия
IPA60R520E6
Infineon
212 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
IPA60R520E6XKSA1
Infineon
по запросу
AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 8.1 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS E6
600V CoolMOSTM E6 Power Transistor IPx60R520E6
Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 8.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.47 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220FP
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 29 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPA60R520E6 - Infineon MOSFET, N-CH, 600 V, 8.1 A, TO220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка