Datasheet IPB036N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 180 А, TO263-7 — Даташит

Купить IPB036N12N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 307 до 1 233 ₽ 17 предложений от 12 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor
Элитан Россия	IPB036N12N3G Infineon	594 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IPB036N12N3G Infineon	от 1 233 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPB036N12N3G MOS Infineon	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IPB036N12N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 180 А, TO263-7

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB036N12N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 3 ? >F D C ? 89 B G9 >7 3 5B 5B Q H3 5<5>D 5 3 81B HR 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q.

5B < G ? >B 9D 5 + 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q   1F 1>3 85 D D 1< 5C 54 Q ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D B 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
TM

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 180 А
• Drain Source Voltage Vds: 120 В
• On Resistance Rds(on): 0.0029 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 7
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• RoHS: да