Datasheet IPB038N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO263-3 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPI041N12N3 G IPP041N12N3 G IPB038N12N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant, halogen free · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max (TO-263) ID 120 3.8 120 V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPB038N12N3 G IPI041N12N3 G IPP041N12N3 G

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 120 В
• On Resistance Rds(on): 0.0032 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• RoHS: да