Datasheet IPD320N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO252-3 — Даташит

Купить IPD320N20N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 154 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков МОП-Транзистор 200 В 34 А 136 Вт 32 мОм при 10 В, 34 А 4 В при 90мкА N-канальные МОП-Транзистор TO-252-1...
ChipWorker Весь мир	IPD320N20N3G Infineon	59 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPD320N20N3G Infineon	от 117 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPD320N20N3G Infineon	154 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IPD320N20N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD320N20N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max ID 200 32 34 V mW A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPD320N20N3 G

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 34 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 0.027 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 136 Вт
• RoHS: да