Datasheet IPD60R1K4C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 3.2 А, TO252-3 — Даташит

Купить IPD60R1K4C6 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 80 ₽ 29 предложений от 14 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Стандарт СИЗ Россия	IPD60R1K4C6 (ST-STD5N62K3) STMicroelectronics	13 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon	28 ₽	Купить
Akcel Весь мир	IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon	от 42 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IPD60R1K4C6 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 3.2 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GHL@?M
+ !FFC+ , 0 !
3 !FFC+ , 0 X ! - FN" 8K 0 ?<

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 1.26 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 28.4 Вт
• RoHS: да