Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IPD640N06L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 18 А, TO-252 — Даташит

Infineon IPD640N06L G

Наименование модели: IPD640N06L G

12 предложений от 12 поставщиков
OptiMOS?® Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification
727GS
Весь мир
IPD640N06LG
Infineon
62 ₽
Элитан
Россия
IPD640N06LG
Infineon
70 ₽
ChipWorker
Весь мир
IPD640N06LG
Infineon
98 ₽
Триема
Россия
IPD640N06LG-VB
142 ₽

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 18 А, TO-252

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 18 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.047 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 47 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPD640N06L G - Infineon MOSFET, N-CH, 60 V, 18 A, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка