Datasheet IPD640N06L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 18 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: IPD640N06L G
![]() 12 предложений от 12 поставщиков OptiMOS?® Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification | |||
IPD640N06LG Infineon | 62 ₽ | ||
IPD640N06LG Infineon | 70 ₽ | ||
IPD640N06LG Infineon | 98 ₽ | ||
IPD640N06LG-VB | 142 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 18 А, TO-252
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 18 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.047 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 47 Вт
- RoHS: да