Datasheet IPP023NE7N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 120 А, TO220 — Даташит

Купить IPP023NE7N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 283 до 618 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
ЧипСити Россия	IPP023NE7N3G Infineon	467 ₽	Купить
Элитан Россия	IPP023NE7N3G Infineon	618 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPP023NE7N3G Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPP023NE7N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 120 А, TO220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
# # ! ! # ! !
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY Q ( @D J54 D 8>? < 7I 6 B I>3 8B >? EC B D91D > 9 =9 53 ? ? C ? 53 93 9 6 ? Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 3 ? >F D C ? 89 B G9 >7 3 5B 5B Q H3 5<5>D 5 3 81B H' 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q.

5B < G ? >B 9D 5 + 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q   1F 1>3 85 D D 1< 5C 54 Q ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 81< 75> 655 B 1D >7 9 ? B Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
B<

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 75 В
• On Resistance Rds(on): 0.0021 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.1 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• RoHS: да