Datasheet IPP110N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 88 А, TO220-3 — Даташит

Купить IPP110N20N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 152 до 1 399 ₽ 16 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3Pin
ЧипСити Россия	IPP110N20N3G Infineon	258 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPP110N20N3G Infineon	от 519 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IPP110N20N3G Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPP110N20N3G	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 88 А, TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB107N20N3 G
IPP110N20N3 G IPI110N20N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max (TO263) ID 200 10.7 88 V mW A

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 88 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 0.0099 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• RoHS: да