Datasheet IPP200N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 64 А, TO220-3 — Даташит

Купить IPP200N25N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 438 до 1 556 ₽ 17 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
ChipWorker Весь мир	IPP200N25N3G Infineon	438 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPP200N25N3G Infineon	486 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPP200N25N3G Infineon	515 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IPP200N25N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 64 А, TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB200N25N3 G
IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max ID 250 20 64 V mW A

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 64 А
• Drain Source Voltage Vds: 250 В
• On Resistance Rds(on): 0.0175 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• RoHS: да