Datasheet IPP600N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO220-3 — Даташит

Купить IPP600N25N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 109 до 398 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
ЗУМ-СМД Россия	IPP600N25N3G Infineon	109 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPP600N25N3G Infineon	от 226 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPP600N25N3G Infineon	от 226 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPP600N25N3G Infineon	308 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB600N25N3 G
IPP600N25N3 G IPI600N25N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary VDS RDS(on),max ID 250 60 25 V mW A

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 25 А
• Drain Source Voltage Vds: 250 В
• On Resistance Rds(on): 0.051 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 136 Вт
• RoHS: да