Datasheet IPW65R080CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 700 В, 43.3 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: IPW65R080CFD
![]() 23 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
IPW65R080CFD | от 788 ₽ | ||
IPW65R080CFD Infineon | 1 593 ₽ | ||
IPW65R080CFD Infineon | от 1 934 ₽ | ||
IPW65R080CFD | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 700 В, 43.3 А, TO247
Краткое содержание документа:
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS CFD
650V CoolMOSTM CFD Power Transistor IPW65R080CFD
Data Sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 43.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 700 В
- On Resistance Rds(on): 0.072 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-247
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 391 Вт
- RoHS: да